报道：三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产NVHBM基础芯片

据财联社报道，三星电子将采用台积电3纳米工艺为英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段合作。消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM（1c）技术制造核心芯片。

信源原题：应英伟达标准化要求 三星将与台积电首次合作生产HBM！

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