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英飞凌专家将在汽车技术论坛演讲：SiC在电动汽车设计中的现状与演进
材料介绍，英飞凌电机控制Fellow Mark Münzer将在汽车技术论坛发表主题演讲，讨论SiC MOSFET在电动汽车设计中的现状与演进。内容涉及800V电池系统结合SiC MOSFET对提升长途驾驶能力的改善、半导体特性与整车性能的联系、应用趋势，以及SiC MOSFET器件演进和下一代技术展望；演讲还将说明，除采用新SiC MOSFET技术外，调整器件周边电路也有望提升车辆性能。
信源原题：Automotive Tech Forum: The Current State of Sic in EV Design and How It’s Evolving
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