长鑫科技4F² DRAM架构研发获关键进展 预计年底推出新一代DDR5 RDIMM

长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日于上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向取得进展，预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

信源原题：长鑫科技，最新突破

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