台积电据报考虑布局3D DRAM存储芯片生产

据媒体周五报道，台积电近期制定先进存储芯片生产计划，考虑制造3D DRAM，并应最大客户英伟达要求启动，以扩大在AI硬件供应链中的份额。知情人士称，台积电正评估新建工厂或收购现有半导体工厂改造，尚未明确量产时间，项目由负责先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。报道称，3D DRAM通过垂直堆叠存储单元提高密度；台积电若入局将直面三星电子、SK海力士和美光，并需权衡行业周期与资本投入风险。

信源原题：台积电，考虑布局新型存储芯片

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