清溢光电拟投不超15亿元建先进制程掩膜版三期

清溢光电11月9日晚公告，控股子公司佛山清溢微拟总投资不超过15亿元，在佛山南海投建高端半导体掩膜版生产基地三期，产品覆盖28nm至14nm制程，预计2026年12月开工、建设期36个月；该单期预算为原规划6亿元的2.5倍。

信源原题：清溢光电加码15亿元，投建先进制程掩膜版三期

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