长鑫存储介绍4F² DRAM架构进展 预计年底推出DDR5 RDIMM

据第一财经，长鑫科技（688825.SH）子公司长鑫存储总裁曹堪宇10月10日在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，4F² DRAM架构采用VSG垂直包围沟道晶体管，增强栅控并缓解漏电与短沟道效应，提升存储密度。

信源原题：长鑫科技官宣 国产DRAM重大突破！4F架构产品年底亮相

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